Nieuws/Tech

Intel maakt nieuw sneller opslaggeheugen

Intel en Micron claimen een nieuw opslaggeheugen te hebben ontwikkeld dat liefst duizend keer sneller is dan de nand-architectuur die gebruikt wordt in flash-geheugen en ssd-schijven.

Volgens de bedrijven heeft de 3D Xpoint technologie de potentie om grote veranderingen aan te brengen aan alle apparaten, applicaties en diensten die profiteren van snelle toegang tot grote hoeveelheden data.

Het is de eerste nieuwe geheugencategorie sinds de introductie van nand-flash in 1989. Naast duizend keer sneller is de 3D Xpoint technologie ook duurzamer en compacter.

"De industrie heeft decennialang gezocht naar nieuwe manieren om de vertraging tussen de processor en gegevens te verminderen zodat veel snellere analyses mogelijk zijn", vertelt Intel VP Rob Crooke. "Deze nieuwe categorie bereikt dit doel en brengt ingrijpend veranderende prestaties naar geheugen- en opslagoplossingen."

De 3D XPoint technologie is van de grond af opgebouwd om te voorzien in de behoefte aan permanent geheugen met hoge prestaties, grote opslagcapaciteit en duurzaamheid. De nieuwe architectuur werkt zonder transistors en leest en beschrijft cellen middels spanningsvariaties.